离子注入法制备AIN基稀释磁性半导体材料<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	南京大学	所在地域：	江苏
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	离子注入法制备AIN基稀释磁性半导体薄膜材料是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AIN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150-250 keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AIN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长技术相比，该成果能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。