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所属分类: |
新型材料 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
中国科学院长春应用化学研究所 |
所在地域: |
吉林 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
该晶体管的栅电极形成在衬底上,栅绝缘层形成在衬底和栅电极上,第一半导体层形成在栅绝缘层上,第二半导体层形成在第一半导体层上,保护层形成在第二半导体层上,源/漏电级形成在保护层刻蚀孔处和第一半导体层上。 该发明的特征是:采用两种或两种以上的有机材料来共同构成有源半导体层,含有保护层。
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