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| 所属分类： |
新型材料 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
所在地域： |
上海 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该发明专利为制备厚膜SOI材料的方法，其特征为：以利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。
用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SiCL4，SiHCL3，SiH2CL2或SiH4作为硅源，外延掺杂类型可以根据需要选择，外延生长前衬底用H2高温烘烤改善表面状况。外延层硅层厚度为5-10μ，沉积速率为0.3-0.8μ/min。
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