块纳米半导体pbTe材料高压合成技术<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	吉林大学	所在地域：	吉林
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该成果的主要研究目的是提高材料的热电转换性能，以利于实际应用。以铅粉（pb）和碲粉（Te）为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却等工艺过程制得pbTe材料。其中，混料压块是将铜粉和碲粉按摩尔比1:1进行混合，按合成腔体大小压成块状；高温高压合成是在压机上进行的，合成压力为1.0-6.0GPa、温度为850-1400K。保压保温后以50-200K/s的降温速率进行冷却。该成果合成的pbTe材料具有NaCl结构，晶粒大小为纳米量级，热导率的值低于1.5W/m.k，适于实际应用。