聚苯惭烯二硫化钼插层复合材料<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院兰州化学物理研究所	所在地域：	甘肃
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种聚苯乙烯二硫化钼插层复合材料的制备方法。该方法首先是将二硫化钼用插层剂插层处理后，不经过与水反应生成单层二硫化钼的剥层-重堆过程，直接加入苯乙烯单体，使苯乙烯插入二硫化钼层间和在引发剂的作用下引发聚合同时进行，反应终止后经过分离、干燥后得到复合材料。该发明的步骤简单，降低了合成成本，缩短了反应时间。所发明的材料在电极材料、光电材料等方面存在着潜在的应用价值。