氮化镓半导体光电材料、发光二极管芯片、器件<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	方大集团股份有限公司	所在地域：	广东
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	氮化镓（GaN）半导体光电材料是一种新型的第三代半导体材料，我公司采用MOVCD技术制造的GaN外延片（2"）是有超高亮度发光特性、晶体质量完美并具有多量子阱结构的晶片，宽带隙，发光量子效率高，化学和物理稳定性好，发光强度大等特点。 GAN外延片可用于生产绿光、蓝光和紫光、紫外等大功率、高温、高频、短波光器件，主要产品包括发光二极管（LED）、激光器（LD）、白光照明灯等，具有节能（费电是普通白炽灯的10%-20%），冷光和寿命长（10万小时）等优点。