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| 所属分类： |
新型材料 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中科院信息咨询中心 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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非掺杂半绝缘砷化镓单晶是高速数字电路、微波单片电路、大功率器件、低噪声器件和功率模块的基础材料。这些电路在激光通信、移动通信及全球定位系统、卫星接收等方面有广阔的应用。由于移动通信和激光通信的迅猛发展，国际上，SI-GaAs单晶材料每年以40%的速度增加。国际上对SI-GaAs需求的前景是非常诱人的。
研制高质量非掺杂半绝缘砷化镓（GaAs）单晶，再加工成开盒能用的抛光晶片，要求技术含量高、设备投资大，这样相对投资回收期较长。由于国际上已大量生产F3″SI-GaAs晶片，在开拓国际市场上需投入较大力量，对投资者带有风除投资性质。 |
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