高介低烧MLCC瓷料组成及制备技术<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	863计划
技术持有方姓名：	清华大学	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	研制了高性能与低烧兼优的PMN基Y5V203、2E4153等陶瓷材料组成。Y5V203瓷料室温介电常数ε20℃=20000∽23000，而且在10℃∽40℃范围内有一个介电常数峰值平台，介质损耗tgδ=(0.6∽1.5)x10-4，击穿场强≥5KV/mm，烧成温度900∽960℃，MLCC可靠性通过五级。2E4153瓷料ε20℃≥15000，tgδ＜250x10-4，所制备的0805-Y5U MLCC产品，击穿电压VDD(－DD)=450VDC，绝缘电阻10000M，介质损耗tgδ=0.7x10-2，烧成温度960℃左右。研制了高介低烧PMN基三层镀技术，首次提出三层镀过程中的吸附态原子是造成铁电陶瓷基MLCC失效的原因，提出加热氧化处理可使失效样品性能恢复的新工艺。通过改性，低烧PMN基MLCC可三层镀，实现片式化，而且室温介电常数可达24000。应用领域：电子陶瓷元件。