Gap单晶<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	半导体材料国家工程研究中心	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	产量仅次于GaAs的III-V族化合物单晶，采用高压LEC工艺生产，由于其能隙较大（2.26eV），掺入等电子杂质可得到有效的可见光发射，是大量生产红、绿、黄、橙各色普通LED的主要材料，产品尺寸以直径2英寸为主。