一种光存储材料<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院长春物理研究所	所在地域：	吉林
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该成果提出了一种光信息存储材料结构设计及制备方法。采用多层结构材料设计，形成相互交替排列的电子给体的电子俘获层，给体层中激发的电子通过扩散和外电场作用可转移到离给体中心较近处，以致被俘获层中的陷井中心俘获，从而提高信息写入效率。写入和外场停止后，俘获层中的电子很难自发回到原来的状态，从而提高了信息存储的稳定性。