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| 所属分类： |
新型材料 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
兰州大学 |
所在地域： |
甘肃 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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KNO（3）为普通无机盐，常压下有异常结构相变。低温 KNO（3）加热到128度时转变为高温相 KNO（3），高温相从160度以上冷却到125度先变为铁电体相 KNO（3），冷至115度才变回低温相。
KNO（3）铁电体的介电性如下：介电常数~10。自发极化P，矫顽场E。高自发极化、低介电常数和低矫顽场是制备集成电路的非挥性RAM和FET（场效应晶体管）元件很有希望的材料。
铁电体记忆元件抗辐射干扰能力强，可用于航天技术，有重大国防意义。1973年用 KNO（3）为原料首制成铁电体记忆元件集成电路。然而极有限的稳定温度范围和吸湿性使得硝酸钾铁伸展体相难以应用于计算机记忆材料。PZT有铅污染问题。
本项目将 KNO（3）作化学处理，以扩大其铁电体相稳定范围。X射线粉末衍射和IR光谱表明，改性或 KNO（3）铁伸展相在室温下稳定。DTA和光谱测定表明，在约150度时铁电相转变为高温电相。
我们得到的是原材料，尚需先进的仪器和设备、以及专门人才方能将它开发成铁伸电体器件。 |
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