技术简介：
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通过低能离子与固体表面相互作用过程中，能量输送导致沉积成分再激活和重排的原理，利用二体碰撞理论和数值计算可以找到一个合适的“能窗”，此能窗由一系列工艺条件和沉积参数确定。当溅射（或蒸发）原子，分子或原子团实际获得的功率在此能窗内，厚度达到一定值时可得到准单晶涂层；当载能粒子功率高于该能窗，将得到多晶和非晶态涂层，并可改变薄膜与基底的附着性。此技术对于制备过渡族金属氮化物（如TiN, Ti(1-X)Al(X)N等），半导体（如Si, Ge, CdTe, Zn(3)P(2)等）和氧化物半导体（如ITO，SnO（2）等），异质结薄膜具有较好的效果。特别是在低熔点（<600度）器件上形成耐磨、光洁、抗氧化腐蚀，增强硬度，选择性光透膜及集成电路的扩散势垒层具有实际的价值。详细的技术要领与方法请见本工作1999年美国John Wiley & Sons科技出版社撰写的编号为C990048110499( Copy right 1998, John Wiley & Sons, Inc., New York NY 10158)的新闻快讯。
该技术将PVD与离子束辅助沉积结合起来，在新理论指导下，可形成几个埃到几个微米厚、不同原子微结构的无机材料涂层，具有广泛性和较少的限制条件，可推广，具有潜在的市场和社会、经济效益。 |
