非致冷红外焦平面器件用低应力复合介质膜。<%=id%>

所属分类：	石油化工及冶金	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海技术物理研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种非致冷红外焦平面器件低应力复合介质膜的制备方法。该方法是在常规的单频率射频源的PECVD设备上通过改变工艺条件生长出折射率在1.48-1.59之间的压应力介质膜和折射率在1.65-2.0之间的张应力介质膜，并通过改变两种膜的厚度比例，使应力性质相反的张应力膜和压应力膜的应力相互抵消，从而得到应力较小的复合膜。应用该方法生长的这种复合介质膜的优点是：介质膜应力较低，在一定范围内应力性质和大小可以控制，介质膜性质稳定，工艺重复性好，制备设备要求相对较低。