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| 所属分类： |
石油化工及冶金 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
浙江大学 |
所在地域： |
浙江 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的工艺过程是在硅单晶生长过程中在多晶硅融化时，用高纯氮气作为保护气（高纯氮气的压力为5-200Torr，流量为1-200 l/min，氮气通入时间1-1000分钟），而在多晶硅融化后，转化为氩气保护，直至硅晶体生长完成。该成果克服了普通氮保护气生长大直径硅单晶的氮元素浓度过高、浓度不易控制的问题，同时能有效降低了大直径硅单晶的生产成本，特别适用于8-12英寸以上微氮硅单晶的制备。
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