低活性表面强放射性源的制靶工艺<%=id%>

所属分类：	生物化学	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国原子能科学研究院	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	低活性表面强放射源的制靶工艺，是一种用反应堆照射生产放射性源的制靶工艺，是一种在反应堆照射前就用低活性复合陶瓷涂层材料将放射源芯密封好的放射源生产工艺。由于这种低活性复合陶瓷材料在高温下能阻挡源芯的高活性材料的原子在其中的扩散渗透。因此，使用这种工艺制靶，堆照后无需对放射源再进行密封就可以直接使用。用这种制靶工艺生产的放射源，表面“清洁”，使用安全，环境污染小，三废排放量小，对工作人员辐射危害小，成本低，成品率高，社会和经济效益好。此项发明已用于生产。本成果已达批量生产阶段。并已把这种技术用于研制体内插植治疗恶性肿瘤微型放射源的工作中去，并研制工作已进入鉴定、推广应用阶段。目前在我国用I－125、Au-198、Ir－192微型源通过组织间插植进行放射治疗还刚刚开始，在国内外已进行多年，证明用这种方法对某些恶性肿瘤治疗是很有效的。如果能在全国推广将会产生很大的经济效益和社会效益。项目转化所需投资：投产和推广经费各50万元。