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| 所属分类： |
生物化学 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院福建物质结构研究所 |
所在地域： |
福建 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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本发明涉及晶体生长方法，特别是涉及一种采用气冷晶体来改善低温相偏硼酸钡大单晶生长的方法。低温相偏硼酸钡（b-BaB2O4，简称BBO）晶体是一种已被广泛应用的重要的紫外非线性光学材料。随着应用领域的不断拓宽，对晶体器件的尺寸也要求越来越大。目前这种晶体主要采用熔盐法生长。由于BBO晶体层状结构的特性和某些物理性质如热导率较低，再加之晶体生长母液的粘度较高等因素，使晶体的生产速率变得相当慢，难于获得大尺寸、高质量的单晶。为此，本发明提出了一种气冷晶体生长BBO单晶的新方法，旨在克服上述的困难，以提高晶体的生长速度和质量。本发明主要采用经净化与干燥的常温的压缩气体通过铂导管连续的吹向正在用熔盐提拉法生长的BBO晶体的上表面，由于晶体表面不断受到冷却，使固液界面（生长界面）处结晶热的散发加快，同时也有利于生长界面处的排杂过程，从而提高了晶体的生长速度和质量。 本发明在本所实验室实施后，产生了良好的效果。使BBO晶体的生长速度比目前所采用的熔盐法生长的速度提高了3~5倍，并且其晶体质量有显著提高，晶体在紫外波段（200~340nm）的透过率提高了10%左右，达到80%以上，此法也适用于其他的熔盐顶部籽晶法或熔盐提拉法所生长的晶体。 |
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