大截面KDP晶体快速生长方法及其载晶架<%=id%>

所属分类：	生物化学	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院福建物质结构研究所	所在地域：	福建
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	本发明属于快速生长大尺寸高品质非线性光学晶体的方法，发明提出了在KDP晶体生长中适量引入能起习性调节作用而不影响光学质量的添加剂（氨基乙醇类），提高KDP溶液的稳定性，增加KDP晶体生长过程中的驱动力，添加剂的引入改变了以往贯用的通过反复扩种或多块籽晶拼接的方法来获取大截面籽晶的传统做法。可直接采用小籽晶进行大截面晶体生长，促进KDP（X、Y、Z）三个方面同时快速生长（即全方位生长）。而且能比原纯态条件下KDP原料在水中的溶解度每100ml水中提高10%以上，可获得低温高饱和度的溶液效果，也可减少KDP溶液在生长过程中繁殖细菌的现象，有利提高晶体光学质量。在同样的设备条件下能获得比传统技术方法生长KDP晶体高10~15倍的生长效率，从而缩短了生长周期，降低了生长成本。本发明两项技术方法相互配套在研究所实施后，KDP晶体以每天7~15mm以上的生长速度实现全方位快速生长，已生长出200′200mm以上口径的大截面高品质的KDP晶体，并将批量生长320′320mm以上口径（320′320′15mm每片2万美元），能满足国际激光核聚变工程和我国神光装置使用要求的大截面KDP晶体，将产生重大的经济效益和社会效益。

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