超导磁场屏蔽室及制备方法<%=id%>

所属分类：	综合其他	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院物理研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利涉及超导磁场屏蔽室及制备方法。该屏蔽室包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖。其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB2膜；在该管端口盖有用MgB2制作的顶盖。该专利采用两步法制备MgB2超导屏蔽室，即：首先在金属管内表面电泳一层二棚化镁薄膜，然后在镁蒸气中烧结。该法制备的屏蔽室质地均匀、致密，电、磁屏蔽性能强，而且工艺简单，生长迅速，原材料及设备成本低廉，容易生长大的MgB2超导屏蔽室，适于工业化生产。