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| 所属分类： |
综合其他 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院上海硅酸酸盐研究所 |
所在地域： |
上海 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该发明专利是掺镧锆钛酸铅陶瓷（PLZT-9/65/35）的低温烧结方法。
其特征是：1、采用偏离其低共熔点而富PbF2的（0.80-0.55）PbF2/(0.20-0.45)PbO(克分子比)为助熔剂组成；2、助熔剂组成直接与PLZT基料中的各原料按组分称量配制，在800-850℃温度下，保温1-3小时，获得含助熔剂的PLZT-9/65/35料块，按常规陶瓷工艺，粉碎，过筛，干压成型后，最后在980-1080℃，保温2-5小时烧结。
该发明专利以一次性均匀混合的简便工艺，实现了大幅度降低PLZT基陶瓷烧结温度，而不影响其性能的目的。
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