|
|
|
|
|
|
含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法<%=id%> |
|
所属分类: |
综合其他 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
所在地域: |
上海 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
该发明专利量种含反应合成碳硼铝化合物相的碳陶化硅陶瓷及其液相烧结法。 其特征为:所述的碳硼铝化合物相的组成为A18B4C7。 具体工艺是:首先,按酚醛树脂溶液:B4C粉:Al=1:0.1~0.6:0.4~1.5(质量)比例的烧结助剂按α-SiCOWV OU R 2%-15%(质量)加入;其次,具体配比是烧结助剂与SiC粉料混合物:SiC球:无水乙醇=1:3:1(质量);最后,在流动Ar气保护下,烧结材料,烧结温度为1800-1950℃,保温时间1-4小时,在烧结过程C-B4C-Al烧结助剂反应合成Al8B4C7,从而生成含碳硼铝化合物相的SiC陶瓷。 该烧结法比常用的以B4C和C作为烧结助剂的热压工艺低200℃。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |