深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器<%=id%>

所属分类：	综合其他	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种通过在深反应离子（DRIE）形成的深沟侧面进行半导体杂质的扩散，来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器，及其制造方法。它属于硅微机械传感器技术领域。该专利为实现电阻间的电绝缘，采用了在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。该种制作方法可以实现硅片内方向找曲的加速度敏感梁上最大应力的检测，从而实现较高灵敏度。同时还克服了两个缺点：1、采用硅片倾斜方向离子注入的繁锁和不适合批量制造；2、为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽影响敏感梁接触过载保护性能。该专利制造工艺简单、构思巧妙，并适合批量生产各种量程的加速度传感器，同时可以应用到多种压阻惯性传感器技术中，具有广泛的应用前景。