氮化镓薄膜制备技术<%=id%>

所属分类：	综合其他	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	武汉大学	所在地域：	湖北
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该氮化镓薄膜制备技术以高纯镓和氮气作源物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离化的具有化学活性的反应气体，在较低温度（500-600℃）下，通过载能镓离化团簇束和N+离子束直接在衬底进行化学反应生成氮化镓晶体薄膜。该成果还提出用ZnO作缓冲层实现在Si衬底上生长氮化镓晶体膜，进一步降低了氮化镓薄膜的生产成本。