硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺<%=id%>

所属分类：	综合其他	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	吉林大学	所在地域：	吉林
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该制备工艺包括前处理-形成等离子体球-调整压力-生长金刚石膜-后处理等过程。该工艺先将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研；之后在H2气氛中启动微波形成等离子体球；再按顺序调整CH4与H2比例、气压和温度；最后在低气压下生长金刚石膜；后处理是在硅衬底上加负偏压，保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀，品质好，消除了内应力，完全适合于硅片键合技术要求。