用于X射线光刻的相移掩模<%=id%>

所属分类：	综合其他	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院光电技术研究所	所在地域：	四川
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该专利是一种用于X射线光刻的相移掩模，由基片和基片上的掩模图形膜层组成。掩模图形膜层具有能产生180度相位延迟的一下厚度，并使用和基片相同的（或不同种类的）对X射线透明的材料，因此提高了掩模稳定性和光刻图形质量，解决了现有技术中用于X射线的掩模因吸收体较厚较重以及对X射线的吸收容易产生变形的问题。该掩模制作简单，可应用于大规模集成电路制造工艺中。