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所属分类: |
综合其他 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
中科院信息咨询中心 |
所在地域: |
北京 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
该产品是用于在超高真空环境下制备或研究硅、锗等薄膜材料和器件的多功能外延生长设备。其具有较宽的生长温度和真空范围,配置反射式高能电子衍射仪和RHEED强度振荡电源直接在外延生长过程中实施原位监测,对低温硅片外延有着重要意义。 该设备目前处于国内领先水平。性能可靠、结构先进、达到了用户要求。
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