|
|
|
|
|
所属分类: |
综合其他 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
中国科学院半导体研究所 |
所在地域: |
北京 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
优化设计出适合于倒装焊工艺的新型SEED多量子阱超薄层微结构。采用MBE及MOCVD系统生长出SEED器件所需的新型大周期多量子阱超薄外延材料,利用X光双晶衍射、室温光荧光、微区光普等各种检测技术对量子阱外延材料的几何结构、生长完整性、光电特性等进行了综合分析与研究。完善了计算机数据采集微区光电特性快速测试系统。优化设计出SEED录巧象素集成单元、集成工艺,深入研究了大列阵微光电子器件平面及台面工艺,经反复实验,确定了适合多芯片倒装焊接的SEED列阵工艺流程和工艺条件。研究了绝缘保护层的材料及工艺,深入研究了湿法腐蚀技术。根据光交换网络应用系统的要求,设计并研制出满足4×5CMOS-SEED灵巧象素1×20倒装焊结构SEED集成列阵芯片,并制备出SEED器件测试样管,对SEED器件的工作波长、工作电压、光电流谱、暗电流、光电流响应时间、反向击穿电压等光电特性进行了测试。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |