射频磁控溅射制备ZrW2O8/ZrO2薄膜的方法<%=id%>

要　.
.一种射频磁控溅射制备ZrW2O8/ZrO2薄膜的方法，包括磁控溅射靶材的制备，单晶Si(100)基片按常规工艺进行表面活化处理；磁控溅射工艺过程以及薄膜的后热处理，该发明主要是通过技术上的革新，使得合成ZrW2O8/ZrO2复合薄膜过程简单，易实现，此外，还具有ZrW2O8/ZrO2复合薄膜合成时间缩短的特点。其专利的实现，可为该复合薄膜在微结构设计中的工业应用提供技术支持。
. 主权项　.
.1、一种射频磁控溅射制备ZrW2O8/ZrO2薄膜的方法，其特征在于：采用以下步骤制得薄膜材料： (1).磁控溅射靶材的制备将ZrO2和WO3按照所需摩尔比进行称量，并加入蒸馏水进行搅拌，球磨烘干；将干燥后的混合物进行筛选，添加占氧化物总重量的4～10％的粘结剂PVA 在研钵中混合均匀，并在60～100Mpa下压制成的靶材；将靶材在1150～1250 ℃下保温半个小时以上烧制成靶材，取出靶材进行砂纸打磨，确保靶材上下面平整； (2).单晶Si(100)基片按常规工艺进行表面活化处理； (3).磁控溅射工艺过程把复合氧化物靶材和硅片分别置入主溅射室和进样室，并对主溅射室和进样室抽真空，对氧化物靶材进行预溅射清洗以去除表面杂质，然后转动基片转盘，置基片于辉光中，调节氩气与氧气体积比为0～1之间，调节基材与靶材间距为 40～45mm，调节溅射功率130～250W起辉溅射； (4).薄膜的后热处理将镀有薄膜的基材取出，加热至1200～1250℃，保温3～4分钟后退火至室温，即可以得到均匀致密，附着强度高的ZrW2O8/ZrO2薄膜。.
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