使用参考结构元件测定结构元件的横断面特征的系统和方法<%=id%>

/US2004/022347
国. 际. 公. 布：. 2005-01-27 WO2005/008768 英进入国家日期：. 2006.03.10
专利代理机构：.. 上海专利商标事务所有限公司. 代.. 理.. 人：. 张政权
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. 摘要　.
.本发明涉及一种系统和方法，其用于测定具有次微米横断面的被测元件的横断面特征，该横断面是由位于第一断面(first traverse section)及第二断面(first traverse section)之间的中间面(intermediate section)所定义。该方法的第一步骤是以第一倾斜状态扫描一参考结构元件的第一部分及被测元件的至少第一断面，用以决定该参考结构元件与该第一断面之间的第一关系。第二步骤是以第二倾斜状态扫描参考结构元件的第二部分，及扫描被测元件的至少第二断面，用以决定该参考结构元件与该第二断面之间的第二关系。第三步骤为根据该第一及第二关系决定该被测元件的横断面特征。
. 主权项　.
.1.一种测定具有次微米横断面的被测结构元件横断面特征的方法，其中该横断面是由位于第一断面及第二断面之间的中间面所定义，该方法包括步骤：以第一倾斜状态扫描参考结构元件的一第一部分与该被测结构元件的至少第一断面，以测定该参考结构元件与该第一断面间的第一关系；以第二倾斜状态扫描参考结构元件的第二部分与该被测结构元件的至少第二断面，以测定该参考结构元件与该第二断面间的第二关系；以及根据该第一关系及该第二关系来决定该被测结构元件的横断面特征。.
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