无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器<%=id%>

：. 汤保平
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. 摘要　.
.一种无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子点有源区上；一上包层，该上包层在较低温度下制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在上包层上。由于InGaP可以在较低的生长温度下获得高的的材料质量，包层生长过程中量子点发光的蓝移得到有效的抑制，使得量子点激光器能够在1.3μm激射。
. 主权项　.
.1、一种无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器，其特征在于，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子点有源区上；一上包层，该上包层在较低温度下制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在上包层上。.
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