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理 机构：.. 北京林达刘知识产权代理事务所. 代.. 理.. 人：. 刘新宇
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. 摘要 .
.本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种具有高介电值栅极介电层的半导体元件制造过程中，抑制次氧化物形成的一种系统及方法。在一例子中，金属氧化物半导体晶体管是包含一栅极结构，包含一高介电值栅极介电层及一栅极电极。在此例子中，一氮化层覆盖于栅极上以于制造过程中防止氧进入结构中，然而需足够薄以于制造过程中具有效的穿透性；亦需足够厚以阻挡杂质渗透。本发明所述半导体元件及其制造方法，在半导体元件的制造过程中，可抑制次氧化层的形成。
. 主权项 .
.1.一种半导体元件，所述半导体元件包含： 一基底； 一栅极结构，包含一介电层及一导电层，覆盖该基底的表面上； 一氮化层，覆盖该栅极结构，以及位于至少一部分的该基底上，该氮化层具有一厚度，介于10至30之间；以及 一侧壁层，覆盖该氮化层。.
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中国科技资讯网
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