半导体晶片的半导体结构及其形成方法<%=id%>

专利代理机构：.. 北京林达刘知识产权代理事务所. 代.. 理.. 人：. 刘新宇
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. 摘要　.
.本发明提供一种半导体晶片的半导体结构及其形成方法，具体涉及一种形成双栅极结构的方法，在一第一基底上形成一厚度小于30nm的埋层绝缘层；在埋层绝缘层上形成一第二基底；在第二基底上形成一垫层；在垫层上形成一遮罩层；形成一第一沟槽，延伸穿过垫层、第二基底、埋层绝缘层至第一基底中；以一绝缘材料将第一沟槽填满；以一导电材料将绝缘材料中的第二沟槽填满；在第二基底上形成一MOS晶体管。在埋层绝缘层下形成一底部栅极，且自对准于形成在第二基底上的顶部栅极。
. 主权项　.
.1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：一第一基底，该第一基底上具有一厚度小于30nm的埋层绝缘层；一第二基底，形成在该埋层绝缘层上；一第一绝缘区域，延伸穿过该第二基底、该埋层绝缘层以及部分该第一基底；以及一基底接点，形成在该第一绝缘区域中。.
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