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化学法合成氧化物粉体制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法<%=id%> |
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. 进入国家日期：..
专利 代理 机构：.. 南阳市智博维创专利事务所. 代.. 理.. 人：. 王 帆
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. 摘要 .
.本发明公开了一种化学法合成氧化物粉体制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法，一种化学法合成氧化物粉体制备的ZnO瓷料和内电极层交错排布烧结而成，其特征在于所述的ZnO瓷料的主体材料为ZnO粉体，加入3～8％(摩尔百分比)的化学法合成的粉体添加剂，所述的化学法是指化学共沉淀法、溶胶一凝胶法。本发明制备的1005规格的多层片式ZnO压敏电阻器的非线性系数α大于20，漏电流IL小于2.0微安。
. 主权项 .
.1、化学法合成氧化物粉体制备的多层片式ZnO压敏电阻器，它是由ZnO 瓷料和内电极层交错排布烧结而成，其特征在于：所述的ZnO瓷料的主体材料为ZnO微米粉体，加入3～8％摩尔百分比的化学法合成的粉体添加剂，所述的内电极层是钯/银内电极层，该ZnO瓷料和钯/银内电级层交错排布。
中国科技资讯网
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