新型微米级芯片尺寸封装散热结构<%=id%>

BR>. 摘要　.
.本发明涉及一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面制作凹坑(4)，形成阵列或非阵列；于凹坑(4)表面及凹坑外的芯片本体硅基材背面植上金属层(5)。本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。
. 主权项　.
.1、一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构，包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点 (3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面制作凹坑(4)，形成阵列或非阵列；于凹坑(4)表面及凹坑外的芯片本体硅基材背面植上金属层(5)。.
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