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际 申 请:.. 国. 际. 公. 布:.. 进入国家日期:.. 专利 代理 机构:.. 深圳市中知专利商标代理有限公司. 代.. 理.. 人:. 孙 皓 林 虹 . . 摘要 . .本发明公开了一种金属薄膜复合制备装置及工艺,要解决的技术问题是在工件表面快速沉积结合力好、纯度高的金属薄膜,本发明的金属薄膜复合制备装置,镀膜室体内设有蒸发源和工件转架,镀膜室体中设有磁控溅射源,工件转架设置在磁控溅射源和蒸发源之间,其制备工艺包括以下步骤:镀膜室体内抽真空;真空度小于1×10-2Pa 后,向镀膜室体内充入氩气至真空度在3×10-2Pa~1Pa之间,在工件表面磁控溅射沉积金属膜;开启蒸发源在磁控溅射金属镀层上蒸镀同类金属,本发明与现有技术相比,沉积金属膜时先采用磁控溅射工艺,然后用真空蒸镀工艺,利用磁控溅射、真空蒸镀各自的优点,使膜纯度提高,与基体的结合力增强,进一步提高真空镀膜产品的质量。 . 主权项 . .1.一种金属薄膜复合制备装置,其镀膜室体内设有蒸发源和工件转架,其特征在于:所述镀膜室体中设有磁控溅射源,工件转架设置在磁控溅射源和蒸发源之间。.
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