BiCMOS高速低功耗2分频器<%=id%>

德石昭
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. 摘要　.
.一种BiCMOS高速低功耗2分频器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域，由第一锁存器L1和第二锁存器L2组成，两锁存器是Bipolar器件和CMOS器件相结合的电路，两锁存器的Bipolar 器件，即晶体管的有源负载是PMOS管，锁存器的Bipolar器件，即晶体管的恒流源是NMOS管，两锁存器的交叉耦合对是小偏置电流的偏置电路，旨在提高锁存器的工作速度，兼有Bipolar器件和CMOS 器件的优点：工作频率高、功耗低和制备集成电路时占用的芯片面积小，特别适于作高速低功耗的N级级联的2N分频器。
. 主权项　.
.1、一种BiCMOS高速低功耗2分频器，由第一锁存器(L1)和第二锁存器(L2)组成，第一锁存器(L1)含D1端、端、CLK1端、端、Vbias1端、VCC1端、Qout1端、端和地线，VCC1端和地线跨接在电压源+端和电压源-端之间，第二锁存器(L2)含D2端、端、 CLK2端、端、Vbias2端、VCC2端、Qout2端、端和地线，VCC2端和地线跨接在电压源+端和电压源-端之间，第一锁存器(L1)与第二锁存器(L2)之间的电路连接，第一锁存器(L1)的D1端、端、 Qout1端、端、CLK1端和端分别与第二锁存器(L2)的端、 Qout2端、D2端、端、端和CLK2端连接，第一锁存器(L1)的 Vbias1端和第二锁存器(L2)的Vbias2端与偏置电压端连接，第一锁存器(L1)的CLK1端和端是所述分频器的差分信号输入端，第二锁存器(L2)的Qout2端和端是所述分频器的2分频差分信号输出端，其特征在于，第一锁存器(L1)还含第一MOS管(M1)、第二 MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)、第五晶体管(Q5)、第六晶体管(Q6)，第一MOS管(M1)和第四 MOS管(M4)是NMOS管，第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3) 是PMOS管，第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)、第五晶体管(Q5)和第六晶体管(Q6)是NPN 管，第二锁存器(L2)还含第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)、第七晶体管(Q7)、第八晶体管(Q8)、第九晶体管(Q9)、第十晶体管(Q10)、第十一晶体管(Q11)、第十二晶体管(Q12)，第五MOS管(M5)和第八MOS 管(M8)是NMOS管，第六MOS管(M6)和第七MOS管(M7) 为PMOS管，第七晶体管(Q7)、第八晶体管(Q8)、第九晶体管(Q9)、第十晶体管(Q10)、第十一晶体管(Q11)和第十二晶体管(Q12) 是NPN管，第一锁存器(L1)的电路连接，第二MOS管(M2)的源极、第三MOS管(M3)的源极、第二晶体管(Q2)的集电极与VCC1 端连接，第三MOS管(M3)的栅极、第三MOS管(M3)的漏极、第四晶体管(Q4)的集电极、第六晶体管(Q6)的集电极、第五晶体管(Q5)的基极与Qout1端连接，第二MOS管(M2)的栅极、第二 MOS管(M2)的漏极、第三晶体管(Q3)的集电极、第五晶体管(Q5) 的集电极、第六晶体管(Q6)的基极与端连接，第三晶体管(Q3) 的基极与D1端连接，第四晶体管(Q4)的基极与端连接，第三晶体管(Q3)的发射极和第四晶体管(Q4)的发射极与第一晶体管(Q1) 的集电极连接，第一晶体管(Q1)的基极与CLK1端连接，第二晶体管(Q2)的基极与端连接，第一晶体管(Q1)的发射极和第二晶体管(Q2)的发射极与第一MOS管(M1)的漏极连接，第一MOS 管(M1)的源极与地线连接，第五晶体管(Q5)的发射极和第六晶体管(Q6)的发射极与第四MOS管(M4)的漏极连接，第一MOS 管(M1)的栅极和第四MOS管(M4)的栅极与Vbias1端连接，第四 MOS管(M4)的源极与地线连接，第二锁存器(L2)的电路连接，第六MOS管(M6)的源极、第七MOS管(M7)的源极、第八晶体管(Q8)的集电极与VCC2端连接，第六MOS管(M6)的栅极、第六 MOS管(M6)的漏极、第九晶体管(Q9)的集电极、第十一晶体管 (Q11)的集电极、第十二晶体管(Q12)的基极与Qout2端连接，第七MOS管(M7)的栅极、第七MOS管(M7)的漏极、第十晶体管 (Q10)的集电极、第十二晶体管(Q12)的集电极、第十一晶体管 (Q11)的基极与端连接，第九晶体管(Q9)的基极与D2端连接，第十晶体管(Q10)的基极与端连接，第九晶体管(Q9)的发射极和第十晶体管(Q10)的发射极与第七晶体管(Q7)的集电极连接，第七晶体管(Q7)的基极与CLK2端连接，第八晶体管(Q8)的基极与端连接，第七晶体管(Q7)的发射极和第八晶体管(Q8)的发射极与第五MOS管(M5)的漏极连接，第五MOS管(M5)的源极与地线连接，第十一晶体管(Q11)的发射极和第十二晶体管(Q12) 的发射极与第八MOS管(M8)的漏极连接，第五MOS管(M5)的栅极和第八MOS管(M8)的栅极与Vbias2端连接，第八MOS管(M8) 的源极与地线连接。.
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