激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法<%=id%>

理机构：.. 中科专利商标代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 汤保平
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. 摘要　.
.一种激光器-电吸收调制器-模斑转换器的制作方法，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、空间层、本征层；用PECVD技术在本征层上生长二氧化硅；去掉本征层，第二次生长有源区及本征层，同时刻出模斑转换器的上波导结构；刻出模斑转换器的下波导结构；第三次外延生长薄的p型磷化铟层和盖层，欧姆接触层；重新刻出激光器及电吸收调制器部分的单脊条形波导结构；刻出隔离沟，进行He+注入；去掉模斑转换器区的铟镓砷接触层；用热氧化方法生长二氧化硅绝缘层；在电吸收调制器两侧淀积聚酰亚胺；开出激光器和电吸收调制器的电极窗口；刻出激光器和电吸收调制器的电极图形；溅射p电极；外延片衬底减薄，溅射n电极后，经划片解理成管芯。
. 主权项　.
.1.一种激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、InP空间层、1.1Q较薄的铟镓砷磷本征层；步骤2：用PECVD技术在1.1Q的铟镓砷磷本征层上生长二氧化硅，并且刻出选择区域生长的掩膜对；步骤3：去掉最上面的1.1Q的铟镓砷磷本征层，第二次生长有源区及薄的磷化铟本征层；步骤4：去掉最上面的磷化铟本征层，同时刻出模斑转换器的上波导结构；步骤5：然后利用自对准工艺刻出模斑转换器的下波导结构；步骤6：第三次外延生长薄的p型磷化铟层和1.1Q刻蚀停止层，p 型磷化铟盖层，高掺杂p型铟镓砷欧姆接触层；步骤7：重新刻出激光器及电吸收调制器部分的单脊条形波导结构；步骤8：刻出激光器和电吸收调制器之间的隔离沟，并对隔离沟及激光器和电吸收调制器脊型台面两侧进行He+注入；步骤9：去掉模斑转换器区的铟镓砷接触层；步骤10：用热氧化方法生长二氧化硅绝缘层；步骤11：在电吸收调制器两侧淀积聚酰亚胺，并且对其进行固化；步骤12：开出激光器和电吸收调制器的电极窗口；步骤13：刻出激光器和电吸收调制器的电极图形；步骤14：溅射p电极；步骤15：外延片衬底减薄，溅射n电极后，经划片解理成管芯。.
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