磁阻结构、磁阻元件、与存储单元<%=id%>

.. 北京林达刘知识产权代理事务所. 代.. 理.. 人：. 刘新宇
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. 摘要　.
.本发明提供一种磁阻结构、磁阻元件、与存储单元，具体涉及一种非平面的磁阻结构，包括一个以上的弯曲部分，介于第一部分与第二部分之间，其中第一部分稍微与基底呈垂直，而第二部分稍微与基底呈水平。上述结构可用于存储元件，如：MRAM 存储元件，在不减少表面积的情况下，与先前平面磁阻结构相比，其存储密度增加。
. 主权项　.
.1.一种磁阻结构，所述磁阻结构包括：一第一铁磁层；一第二铁磁层；一间隔层，介于上述第一铁磁层与上述第二铁磁层之间；以及一弯曲部分，位于上述第一铁磁层、间隔层、与第二铁磁层。.
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