相关文章  
  • 对设置在内燃机尾气通道上的NOx-存储催化剂进行NOx-再生的方法和装置

  • 总线及I/O焊垫的可程序化为四个状态的内联机元件

  • 控制多汽缸内燃机的方法及装置

  • 提高磁性金属纳米材料磁性能的方法

  • 晶界层半导体陶瓷电容器制造方法

  • 断路器操作机构的侧板与盖板的联结结构

  • 单相线、中线联用式小型断路器的操作机构

  • 致冷剂压缩机

  • 内燃机爆震调节方法

  • 身份认证方法和公民档案系统

    		•
      推荐  
      科普之友首页   专利     科普      动物      植物        天文   考古   前沿科技
     您现在的位置在：  首页>>专利 >>专利推广

    横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法<%=id%>
    ;韩平;胡立群;郑有炓
    国 际 申 请：
    国 际 公 布：
    进入国家日期：
    专利 代理 机构： 南京知识律师事务所
    代 理 人： 陈建和
    摘要
    　 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2－20μm，GaN窗口区宽度0.2－20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的[1100]取向；对于正六边形的开口，使GaN的[1100]取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低，所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延，可得到位错密度更低的GaN薄膜。
    主权项
    　 权利要求书 1、横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，其特征是用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2-20μm，GaN窗口区宽度0.2-20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的[1ī00]取向；对于正六边形的开口，使GaN的[1ī00]取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。
         

          设为首页       |       加入收藏       |       广告服务       |       友情链接       |       版权申明      

    Copyriht 2007 - 2008 ©  科普之友 All right reserved