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br>分 类 号：
G21K5/00;G03B42/02
颁 证 日：
优 先 权：
2000.12.29 RU 2000133040
申请(专利权)人：
姆拉丁·阿布比奇罗维奇·库马科夫
地 址：
俄罗斯莫斯科
发 明 (设计)人：
姆拉丁·阿布比奇罗维奇·库马科夫
国 际 申 请：
CT/RU01/00134 2001.4.3
国 际 公 布：
WO02/054413 俄 2002.7.11
进入国家日期：
2002.08.28
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
钱慰民
摘要
本发明涉及一利接触式光刻装置，包括：软X射线源(最好是带旋转阳极的X射线管1)；把该源的发散辐射变换成准平行辐射的半透镜2(所述透镜包括一族以全外反射传输辐射的通道，所述通道沿筒形表面基体定向)；用于安置掩膜3和其上涂布抗蚀剂5的衬底4的装置(所述装置位于半透镜2的输出面侧)；和吸收滤光器6，用于平滑半透镜出射辐射从射束中心到外围呈现强度递减的束强度不均匀性。吸收滤光器6位于辐射源1与半透镜2输入面之间，并通过选择半透镜横向尺寸与其离输入侧焦距的相互关系，按下述限制条件提供源辐射捕获角：0.7/E1.5≤ψ≤1.3 E1.5其中ψ为辐射捕获角(弧度)，E是所用源的辐射能量(KeV)。制作辐射传输通道反射表面的材料包括原子序数不大于22的元素，所用源的辐射能量为0.6～6KeV。由于扩大了捕获角而且将吸收滤光器安置在半透镜的输入前面，所以提高了源辐射的使用效率，同时扩大了被加工板-衬底的面积，延长了透镜使用寿命。
主权项
权利要求书
1.一种接触式光刻装置，其特征在于包括：软X射线源；把所述源的发
散辐射变换成准平行辐射的半透镜，它包括一组用沿筒形表面基体定向的全
外反射传输辐射的通道；把掩膜和其上涂布了抗蚀剂的衬底安置成与半透镜
输出面一侧间隔开的装置；和一吸收滤光器，用于平滑半透镜出射辐射束强
度的不均匀性，该不均匀性表现为从射束中心到外围的强度衰减，其中吸收
滤光器位于辐射源与半透镜输入面之间，
选择半透镜截而与其离输入侧焦距的关系，以便按下述限制建立捕获源
辐射的条件：
0.7/E1.5≤ψ≤1.3E1.5
其中ψ是辐射捕获角(弧度)，E为所用源的辐射能量(KeV)，这样，
辐射传输通道反射表面的材料包括原子序数不大于22的元素，
而且所用源的辐射能量为0.6～6KeV。
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