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分 类 号：
H01L21/761;H01L21/762;H01L21/265
颁 证 日：
优 先 权：
2000.2.29 US 09/516,970
申请(专利权)人：
摩托罗拉公司
地 址：
美国伊利诺斯
发 明 (设计)人：
王晓东;迈克尔·P·伍
国 际 申 请：
CT/US01/03115 2001.1.31
国 际 公 布：
WO01/65597 英 2001.9.7
进入国家日期：
2002.08.29
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
公开了一种半导体器件和它的制造方法。该方法包括在半导体衬底(100)中形成第一阱区域(104)。半导体衬底(100)包括一个处于第一阱区域(104)下面的第一掺杂区域(102)。第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)掺了第一类型掺杂物，并且第一阱区域(104)与第一掺杂区域(102)保持电连接。在第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)之间形成一绝缘区域(206)。绝缘区域(206)与第二阱区域(404)保持电连接。绝缘区域(206)和第二阱区域(404)掺了第二类型掺杂物。第一类型掺杂物与第二类型掺杂物相反。在一个实施方案中，第一类型掺杂物包括p型掺杂物，而第二类型掺杂物包括n型掺杂物。该方法可以进一步包括，在第一阱区域(104)中低于绝缘区域(206)的地方形成第二掺杂区域(310)。可以在绝缘区域(206)的上面形成第一类型掺杂剂的第三掺杂区域(312)。该方法可以进一步包括在半导体衬底(100)上形成栅结构(504)，邻近栅结构(504)形成源/漏区(604)并且在栅极结构(504)和源/漏区域(604)下面形成保护电荷再结合区域(610)。
主权项
权利要求书
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底(100)中形成第一阱区域(104)，在半导体衬底
(100)中位于第一阱区域(104)下面的地方具有第一掺杂区域(102)，
其中第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102) 包括从一种p型掺
杂剂和一种n型掺杂剂组成的组中选出来的第一类型掺杂剂，其中第
一阱区域(104)与第一掺杂区(102)电连接；并且
在第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)之间形成绝缘区域
(206)，绝缘区域(206)与第二阱区域(404)电连接，其中绝缘区
域(206)和第二阱区域(404)包括来源于第二类型掺杂剂的掺杂剂，
并且第二类型掺杂剂与第一类型掺杂剂相反。
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