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在用于容纳电子元件的基片中形成开孔或凹陷的方法<%=id%> |
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颁 证 日：
优 先 权：
2000.2.28 US 09/514,257;2000.5.26 GB 0012754.8
申请(专利权)人：
TS ATL公司
地 址：
美国佐治亚
发 明 (设计)人：
约翰·格里高利
国 际 申 请：
CT/IB01/00555 2001.2.26
国 际 公 布：
WO01/65595 英 2001.9.7
进入国家日期：
2002.08.27
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
朱海波
摘要
一种用于在用于容纳电子元件的基片中形成开孔或凹陷的方法，该方法包括如下步骤：在基片的第一主表面上或附近提供一个被构图的不透明掩膜层，该掩膜层具有与要在基片中形成开孔或凹陷的位置相重叠的开孔；通过激光消融经该开孔从基片上除去材料，从而在该基片中形成具有用于容纳所述电子元件的适当尺寸的开孔或凹陷。
主权项
权利要求书
1.一种用于在用于容纳电子元件的基片中形成开孔或凹陷的方法，
该方法包括如下步骤：
a)在基片的第一主表面上或附近提供一个被构图的不透明掩膜层，
该掩膜层具有与要在基片中形成开孔或凹陷的位置相重叠的开孔，
b)通过激光消融经该开孔从基片上除去材料，从而在该基片中形成
具有用于容纳所述电子元件的适当尺寸的开孔或凹陷。
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