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片采用缝中植排的方法设计使余料部分狭小，冲制时共有10个工步，先冲2个导正孔及余料，再冲4个叠装点，使I形芯片落料后叠装，然后E芯片冲6个叠装点及冲压其余料，用方销定位，接着上下E芯片在先后位置落料叠装，每次冲压共制成E形芯片和I形芯片各两片，本工艺充分使用硅钢片原材料，利用率高，效率高，冲压片质量光滑平整。
主权项
权利要求书
1、一种镇流器铁芯片冲压新工艺，其特征在于本工艺共分10个工
步：①先冲2个导正孔a 21及余料b 22、余料c 23；
②冲4个叠装点d 24，设定芯片叠装片数计量分开；
③空步；
④I形芯片落料，后叠装；
⑤空步；
⑥冲6个叠装点e 25，；
⑦冲压2个余料f 26；
⑧用方销g 27开始导正定位；
⑨上部E形芯片落料，叠装；
⑩下部E形芯片落料，叠装；
以上10个工步在一次冲压过程中同时完成。
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