测量纳米级晶须材料杨氏模量的方法<%=id%>

法属于纳米技术领域。在单晶硅片上生长的纳米碳化硅晶须末端淀积悬挂单晶锗球，在透射电子显微镜下通过观察到的晶须弯曲程度统计的估算出晶须的杨氏模量。本发明具有实质性特点和显著进步，本发明提供的杨氏模量的测量也适用于其他直立生长的纳米杆状材料，与已有的测量杆状纳米材料的方法相比，巧妙的利用蒸发锗球在杆状晶须样品上来获得材料受力弯曲的特征，不需要购置专门的设备，具有成本低工艺简单的特点。
主权项
　权利要求书 1、一种测量纳米级晶须材料杨氏模量的方法，其特征在于在单晶硅片上生长的纳米碳化硅晶须末端淀积悬挂单晶锗球，在透射电子显微镜下通过观察到的晶须弯曲程度统计的估算出晶须的杨氏模量，具体方法如下： (1)把生长好的样品放入一密闭的反应腔内，并通入惰性气体，在靠近载气源处往腔内放置一定量的单晶锗片； (2)以氩气做载气通入反应腔内，并加热单晶锗片； (3)对样品进行透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜测量； (4)对透射电子显微镜图象进行拟合与简化，获得每根晶须受力大小和曲线图形； (5)利用一段自由一端受力的悬臂梁模型对步骤(4)的实例进行计算； (6)利用步骤(4)、(5)对多根晶须进行处理和计算，最后给出在一定生长条件下生长的纳米碳化硅晶须杨氏模量的统计平均值。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明