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    超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法<%=id%>
    OS晶体管的阈值电压调节方法，包括以下步骤：制备SOI衬底；SOI顶层硅膜厚度减薄到约10nm至50nm；顶层硅膜上形成吸收层；和通过吸收层给顶层硅膜注入离子。
    主权项
    　 权利要求书 1、一种超薄SOIMOS晶体管阈值电压调节方法，包括以下步骤： 制备SOI衬底； SOI顶层硅膜厚度减薄到10nm至50nm； 顶层硅膜上形成吸收层；和 通过吸收层给顶层硅膜注入离子。
         

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