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空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法<%=id%> |
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一种空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法。其材料组成为Bi2Te3、 2Te3、 2Se3、Te。将上述组成的各种成份按设定的比例混合后，采用陶瓷加工技术制备半导体陶瓷制冷材料。性能测试结果证明：可制备出与单晶半导体制冷材料性能相当的半导体陶瓷制冷材料，其主要指标达到P型半导体陶瓷性能水平。塞贝克系数：220μV/K，电导率：96Ω-1·cm-1，热导率：13.3mW/cm·K，优值系数：3.50×10-3K-1。本发明制法简单，制造成本较低，可应用在科学研究、军事、工业生产、日常生活等众多领域，特别是在大规模集成线路、光敏器件、功率元件、高频晶体管、电子仪器等元件和设备的冷却方面具有较广泛的实用性。
主权项
权利要求书
1、一种陶瓷制冷材料，其特征在于该陶瓷制冷材料由重量百分数为20％～
25％Bi2Te3、72％～75％ 2Te3、3％～6％ 2Se3三项成份百分数之和为100％的
混合物，和该混合物重量1.8％～2.5％Te的外加掺杂剂组成。
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