一种具有平坦式区块选择晶体管的高密度掩模式非挥发性存储器阵列结构<%=id%>

至少两存储器区块(memory bank)，两存储器区块具有多个存储器单元(memory cell)；至少两个外连区块(inter-bank)选择晶体管连接至两存储器区块，并为两存储器区块所共享(share)，每一外连区块选择晶体管可以选择两存储器区块的存储器单元；及至少一接触(contact)经由两外连区块选择晶体管共连接至两存储器区块。
主权项
　权利要求书 1.一种具有平坦式结构的只读存储器阵列，该存储器阵列包括：至少两存储器区块，该两存储器区块具有多个存储器单元；至少两个外连区块选择晶体管连接至该两存储器区块，并为该两存储器区块所共享，每一外连区块选择晶体管可以选择该两存储器区块的这些存储器单元；及至少一接触经由该两外连区块选择晶体管共连接至该两存储器区块。

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