非易失性半导体存储器<%=id%>

耦合并控制浮栅的电位用的第1扩散层、以及与浮栅相对配置的控制栅。而且，在进行删除动作时，从控制栅向浮栅流过隧道电流的方向是与半导体基板的主表面实质上平行的方向。这样，即使控制栅在浮栅的上方没有重叠区，也能够通过从浮栅拉出载流子而流过隧道电流。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体存储器，其特征在于，具有浮栅、与所述浮栅电容耦合并控制所述浮栅的电位用的第1扩散层、以及与所述浮栅相对配置的控制栅，在进行删除动作时，从所述控制栅向所述浮栅流过隧道电流的方向是与半导体基板的主表面实质上平行的方向。

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