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半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法<%=id%> |
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颁 证 日：
优 先 权：
2001.6.1 JP 167481/01;2001.7.30 JP 230469/01
申请(专利权)人：
株式会社半导体能源研究所
地 址：
日本神奈川县
发 明 (设计)人：
高山彻;秋元健吾
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
王岳;梁永
摘要
就涉及用于在衬底上具有使用薄膜晶体管的集成电路的半导体器件的制造方法的技术来说，问题是提供形成具有畸变的非晶硅的条件。在使用溅射法对非晶硅膜的淀积过程中，给出了15－25kHz的频率和0.5－3kW的淀积功率的条件。这可以充足地在非晶硅膜中包含10×1020/cm3或更多的Ar，这样就使得形成具有畸变的非晶硅膜成为可能。
主权项
权利要求书
1.一种用于形成非晶半导体膜的方法，所述方法包括：
通过将惰性气体在0.1Pa-5Pa的淀积压力下引入淀积室借助溅射
法在淀积室中形成非晶半导体膜，
其中溅射法是在通过应用交流电产生辉光放电的条件下实施的；
并且
其中1×1019/cm3-1×1022/cm3的惰性气体元素包含在非晶半导体膜
中。
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