研磨用组合物及用它的研磨方法<%=id%>

分类号： C09K3/14;H01L21/304 24B1/00
颁证日：
优先权： 2001.8.9 JP 2001－242235
申请(专利权)人：不二见株式会社
地址：日本爱知县
发明 (设计)人：大野晃司;酒井谦儿;伊奈克芳
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海专利商标事务所
代理人：陈剑华
摘要
　本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。
主权项
　权利要求书 1.一种研磨用组合物，用于研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，其特征是，含有以下(a)～(d)成分 (a)二氧化硅 (b)过碘酸 (c)选自氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾和过碘酸钠的至少1种pH调整剂 (d)水。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明