颁 证 日:
优 先 权:
2001.3.16 US 60/276,691
申请(专利权)人:
希普雷公司
地 址:
美国马萨诸塞
发 明 (设计)人:
J·赫博;A·艾格利;M·P·托本
国 际 申 请:
国 际 公 布:
进入国家日期:
专利 代理 机构:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人:
陈季壮
摘要
本发明公开了通过使用一种薄金属底层来减少锡膜中晶须生成的方法。而且公开了大大减少了晶须生成的锡镀层的结构。
主权项
权利要求书
1.一种减少晶须生成的方法,包括如下步骤:首先沉积含有镍、镍合金、
钴或钴合金的金属底层;然后在金属底层上沉积锡或锡合金层;其中金属底层的
厚度最大为1μm。
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